La thermographie active modulée appliquée à l’analyse de défaillance des circuits intégrés

Il n’y a pas seulement que les pièces d’organes mécaniques qui peuvent défaillir. La mécanique utilise de plus en plus de composants électroniques et de circuits intégrés (Mécatronique). Eux aussi peuvent être sujet à des défaillances et l’analyse de ces défaillances se doit d’utiliser des moyens adaptés. Un article publié dans Materials Science and Engineering d’octobre 2011 présente un procédé intéressant : la LIT

La thermographie active modulée (LIT : lock-in thermographie ), qui est une technique d’examen non destructif, peut également être utilisé pour identifier et localiser les défauts thermiques actifs électriquement dans les dispositifs microélectroniques. La localisation des défauts au niveau des circuits intégrés (IC) nécessite une résolution au µm. Mais la LIT peut également être appliquée pour localiser des défauts thermiques actifs sous-jacents dans des dispositifs microélectroniques totalement emballés par l’analyse du signal détecté thermique à la surface du dispositif. En plus de la localisation latérale de la zone réactive, sa profondeur peut également être déterminée par l’analyse du décalage de phase du signal thermique. Ceci est particulièrement apprécié pour la localisation  non destructive de défaut dans un système intégré  complexe 3D (3D paquet SiP). En comparaison avec les techniques la concurrentes d’imagerie thermique, comme l’imagerie à cristaux liquides ou l’imagerie fluorescence micro thermique, LIT est plus facile à appliquer car elle ne nécessite aucune couche thermosensible étrangère à la surface de l’appareil. En outre, la limite de sensibilité de cette technique dans la plage μK est nettement meilleure. En outre, le caractère dynamique de la LIT réduit le flou thermiques, et le problème de l’émissivité IR inhomogène peut être surmonté en utilisant l’image de phase ou l’image 0 ° / -90 °. La limite de résolution spatiale de la configuration utilisée pour l’imagerie microscopique thermique effectuée dans la plage à mi-longueur d’onde est d’environ 5 um, mais elle peut être amélioré à 1,5 um en appliquant des lentilles à immersion solide.

L’article présente la théorie du  principe de LIT et son utilisation pratique pour deux cas de dispositifs de circuits intégrés, un simple et un multiple.

Laisser un commentaire

Entrez vos coordonnées ci-dessous ou cliquez sur une icône pour vous connecter:

Logo WordPress.com

Vous commentez à l'aide de votre compte WordPress.com. Déconnexion / Changer )

Image Twitter

Vous commentez à l'aide de votre compte Twitter. Déconnexion / Changer )

Photo Facebook

Vous commentez à l'aide de votre compte Facebook. Déconnexion / Changer )

Photo Google+

Vous commentez à l'aide de votre compte Google+. Déconnexion / Changer )

Connexion à %s